スパッタ装置 の意味・用法を知る
スパッタ装置 とは、物理蒸着 や半導体装置を構成する物質の物理的析出 などの分野において活用されるキーワードであり、ソニー株式会社 やセイコーエプソン株式会社 などが関連する技術を18,830件開発しています。
このページでは、 スパッタ装置 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
スパッタ装置の意味・用法
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また、 スパッタ装置 は、少なくとも1つのエンドブロック(120)に第2の方向における並進運動を加え、これによって、第2の方向に沿った移動軌道の少なくともかなりの部分にわたってターゲット軸を平行に維持するための第2の駆動手段(145)も備えている。
- 公開日:2017/08/03
- 出典:移動ターゲットを有するスパッタ装置
- 出願人:ベカルト・アドバンスト・コーティングス・ベスローテン・フェンノートシャップ
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コリメータのメンテナンスに要する負荷を低減させることができる スパッタ装置 及びスパッタ装置の駆動方法を提供する。
- 公開日:2017/01/26
- 出典:スパッタ装置及びスパッタ装置の駆動方法
- 出願人:株式会社アルバック
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ITO膜付ガラス板と同等の抵抗が低く品質の高いITO膜付長尺フィルム、長尺フィルムを高いスパッタレートで生産することのできる スパッタ装置 ならびに製造方法の提供。
- 公開日:2015/12/24
- 出典:スパッタ装置、および、ITO膜付長尺フィルムの製造方法
- 出願人:日東電工株式会社
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図8の スパッタ装置 に設けられた静電チャックを模式的に示す断面図。
- 登録日:2018/06/01
- 出典:基板処理装置
- 出願人:株式会社アルバック
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粒状体全体にターゲット原子を均一に付着することができるドラム スパッタ装置 を提供する。
- 公開日:2017/03/23
- 出典:ドラムスパッタ装置
- 出願人:日立化成株式会社
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スパッタ装置 1では、減圧チャンバ14内にて透明のウェブ9が搬送される。
- 公開日:2015/03/12
- 出典:スパッタ装置および薄膜形成方法
- 出願人:日立造船株式会社
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スパッタ装置 のターゲット交換、カソード清掃において、二人以上で同時に作業ができ、高所作業がなく、ターゲットを上向きの状態で交換することができるメンテナンス方法を提供する。
- 公開日:2015/04/20
- 出典:スパッタ装置およびスパッタ装置のメンテナンス方法
- 出願人:日東電工株式会社
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半導体製造装置は、電磁波シールドを行うべき未シールドの半導体パッケージが搭載されたトレイを収納するトレイ収納供給部からトレイを取り出して搬送キャリア上に載置し、この搬送キャリアを、電磁波シールドのためのスパッタ材料の付着を行う スパッタ装置 まで搬送する第1搬送部と、電磁波シールド済の半導体パッケージを搭載するトレイが載置された搬送キャリアをスパッタ装置から取り出して搬送し、電磁波シールド済の半導体パッケージを搭載するトレイを搬送キャリアから回収してトレイ収納供給部に収納する第2搬送部と、を備える。
- 公開日:2015/06/22
- 出典:半導体製造装置
- 出願人:株式会社東芝
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様々なニーズに応じた、汎用性の高いナチュラトロン スパッタ装置 の提供。
- 公開日:2015/10/01
- 出典:ナチュラトロンスパッタ装置
- 出願人:一般社団法人薄膜技術産業普及協会
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〔実施例1〕 1.基材への絶縁性気相成長膜の形成 基材としてのポリイミドフィルム(東レデュポン社製,製品名「カプトン100H」,厚さ25μm,UL94規格の難燃レベルV−0)の一方の面に、 スパッタ装置 (SCREENファインソリューションズ社製,製品名「VS−R400F」)を用いて、酸化アルミニウム(アルミナ)を製膜材料とし、スパッタリングを行った。
- 公開日:2020/03/26
- 出典:電池用粘着シートおよびリチウムイオン電池
- 出願人:リンテック株式会社
スパッタ装置の問題点 に関わる言及
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また、本実施形態においては、製造装置としてドライエッチング装置を例にとって説明したが、これに限らずプラズマCVD装置や スパッタ装置 、ウェットエッチング装置、レジスト塗布装置、露光装置等にも適用することができる。
- 公開日: 1999/01/22
- 出典: 製造装置の処理データ監視システム
- 出願人: シャープ株式会社
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例えば、上記実施形態では、成膜装置としてCVD装置を例示したが、成膜装置はCVD装置に限らず、膜を堆積する装置であれば適用できる。例えば、ALD装置や スパッタ装置 にも適用することができる。
- 公開日: 2010/03/18
- 出典: 石英ヒーター及び成膜装置
- 出願人: 東京エレクトロン株式会社
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また、上記実施例は、半導体製造装置をプラズマエッチング装置とした場合であるが、反応状態をプラズマ状態から検出する半導体製造装置であれば、例えば、プラズマCVD装置や スパッタ装置 であっても良い。
- 公開日: 1997/08/19
- 出典: 半導体製造装置における反応検出方法
- 出願人: ソニー株式会社
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また、本実施の形態では、CVDやRIEに対する装置シミュレーション等について説明したが、装置シミュレーションはこれらの装置に限られず、他の装置であってもよい。例えば、 スパッタ装置 等に対して装置シミュレーションを行なってもよい。
- 公開日: 2007/06/14
- 出典: シミュレーション装置、シミュレーションプログラムおよびシミュレーション方法
- 出願人: 株式会社東芝
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尚、上記各実施の形態ではエッチング処理を行う半導体製造装置について説明したがこれに限られることはなく、処理室内において異物が発生する半導体製造装置であれば同様に用いることができることは言うまでもない。例えば、CVD装置、 スパッタ装置 、イオン注入装置、拡散装置などが適用可能である。
- 公開日: 1997/08/19
- 出典: 半導体製造装置
- 出願人: 三菱電機株式会社
スパッタ装置の特徴 に関わる言及
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なお、ここで使った製造装置である真空蒸着装置、集束イオンビーム装置は、金属膜が形成出来る成膜装置、金属膜が加工できる装置であれば、特段の限定はない。真空蒸着装置としては、抵抗加熱式装置、電子ビーム加熱式装置、 スパッタ装置 、CVD装置などを利用してもよい。また、集束イオンビーム装置の代わりにイオンミリング装置を利用してもよい。ただしイオンミリング装置を使う場合は、所望の形状を加工するため、レジスト塗布、露光など複数の工程が追加される。
- 公開日: 2011/09/22
- 出典: 位相板およびこれを用いた位相差電子顕微鏡
- 出願人: ルネサスエレクトロニクス株式会社
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スパッタ装置 等のプラズマ処理装置内でプラズマ放電を発生させるためには、プラズマ放電に寄与するためのガスを一定量以上、プラズマ処理装置内に導入することが必要となる。
- 公開日: 2001/02/09
- 出典: プラズマ発生方法及びプラズマ処理装置
- 出願人: パナソニック株式会社
スパッタ装置の使用状況 に関わる言及
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ