シリコン層 の意味・用法を知る

ＳＯＩ基板１Ｓの シリコン層 ＳＬ上に開口部ＯＰを有する絶縁膜ＩＦを形成し、かつ、真性ゲルマニウム層ＩＧＬを開口部ＯＰの内部から絶縁膜ＩＦの上にまではみ出すように形成する。

• 公開日：2017/11/09
• 出典：半導体装置およびその製造方法
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

サファイヤ基板１０上の第１の領域Ｒ１には シリコン層 ２０が設けられ、シリコン層２０にはシリコンデバイス２００が形成されている。

• 公開日：2017/12/21
• 出典：半導体装置および半導体装置の製造方法
• 出願人：ラピスセミコンダクタ株式会社

第１の表面（１０）を有するキャリア基板（Ｔ１）を用意するステップと、第１の表面に絶縁層（Ｉ１）を被着するステップと、絶縁層に第１の シリコン層 （Ｓ１）をエピタキシャル成長させるステップと、第１のシリコン層（Ｓ１）にトレンチ（Ｇ）を形成するステップと、第１のシリコン層をパッシベートするステップであってトレンチは充填され第１の表面とは反対側にパッシベーション層（Ｐ）が生じるステップと、パッシベーション層をパターニングするステップであって第１のシリコン層に犠牲領域（Ｏ１）と機能領域（Ｆ１）とが形成され犠牲領域はキャリア基板とは反対側で少なくとも部分的にパッシベーション層（Ｐ）から露出するステップと、最...

• 公開日：2016/12/08
• 出典：積層体中に微小電気機械構造を製造する方法及び微小電気機械構造を備える相応の電子素子
• 出願人：ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング

ＳＯＩ基板の加工方法は、シリコン基板、酸化 シリコン層 、及びシリコン層を含むＳＯＩ基板において、シリコン基板が配置された面側から酸化シリコン層を露出する開口部を形成し、開口部が形成された面側から、酸化シリコン層を等方性の第１エッチングでエッチングし、第１エッチングの後に、開口部が形成された面側から異方性の第２エッチングでエッチングすることで、シリコン層の開口部が形成された面側を露出する。

• 公開日：2017/08/10
• 出典：ＳＯＩ基板、ＳＯＩ基板の加工方法、絞り装置及びその製造方法
• 出願人：大日本印刷株式会社

シリコン層 の残留非注入領域は選択的エッチングプロセスによって除去される一方で、シリコン層の第１及び第２の注入領域はアニールされ、ドープされた多結晶シリコンエミッタ領域が形成される。

• 公開日：2017/02/09
• 出典：イオン注入を使用した太陽電池エミッタ領域製造
• 出願人：サンパワーコーポレイション

撮像装置１は、 シリコン層 １０と、酸化シリコンよりも低誘電率の絶縁体を含む配線層２０と、シリコン層１０の受光面１０ＳＡの受光部１１を覆うカバーガラス４０と、配線層２０の裏面２０ＳＢを覆うシリコン基板５０と、を具備し、配線層２０に外縁に沿ったガードリング２４が形成されており、シリコン層１０のカバーガラス４０で覆われていない領域に、配線層２０の導体からなる電極パッド２９を底面とする貫通孔１０Ｈがあり、貫通孔１０Ｈの内面に配線層２０の絶縁体が露出していない。

• 公開日：2017/11/02
• 出典：撮像装置および内視鏡
• 出願人：オリンパス株式会社

終端トレンチ３０，３１，３２において、ｎ シリコン層 １３同士を連続させる分断領域を有する。

• 公開日：2018/01/25
• 出典：トレンチゲート型半導体装置
• 出願人：株式会社豊田自動織機

ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、及びポリフェニレンサルファイド樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂で構成されるキャリアと、前記キャリア上に設けられ、シリコンを含んでなり、シリコン濃度が６０原子％以上である シリコン層 と、前記シリコン層上に設けられ、炭素を含んでなり、炭素濃度が６０原子％以上である炭素層と、前記炭素層上に設けられる極薄銅層と、を備えた、キャリア付銅箔。

• 登録日：2019/08/30
• 出典：キャリア付銅箔、樹脂付銅箔、及びプリント配線板の製造方法
• 出願人：三井金属鉱業株式会社

表面にヒドロキシ基を有するリチウム金属層と、前記リチウム金属層上に備えられ、シリコン系化合物を含む シリコン層 とを含み、前記シリコン層のシリコン系化合物は、シリコン層と接触する下部膜のヒドロキシ基と共有結合されるものである、リチウム電極。

• 公開日：2017/10/19
• 出典：リチウム電極、これを含むリチウム二次電池、前記リチウム二次電池を含む電池モジュールおよびリチウム電極の製造方法
• 出願人：エルジー・ケム・リミテッド

太陽電池の交互するＮ型及びＰ型のエミッタ領域を製造する方法であって、基板上に シリコン層 を形成する段階と、第１の導電型のドーパント不純物種を前記シリコン層に注入して、第１の注入領域を形成し、前記シリコン層の非注入領域を生じさせる段階と、付随的な不純物種を前記シリコン層の前記第１の注入領域に注入する段階であって、前記付随的な不純物種は、前記第１の導電型の前記ドーパント不純物種とは異なる、段階と、反対の第２の導電型のドーパント不純物種を前記シリコン層の前記非注入領域の一部に注入して、第２の注入領域を形成し、前記シリコン層の残りの非注入領域を生じさせる段階と、前記第１の注入領域の少なくとも一部分を維持...

• 公開日：2017/08/31
• 出典：イオン注入を使用した太陽電池のエミッタ領域の製造
• 出願人：サンパワーコーポレイション