ゲート幅 の意味・用法を知る

データテーブルは、カットオフ周波数ｆｃ、ノイズＡＧＣ利得Ｇ、閾値Ｔｈ、 ゲート幅 Ｗのパラメータを、電界強度ごとに規定された値で構成される。

• 公開日：2011/08/25
• 出典：ラジオ受信装置
• 出願人：パナソニック株式会社

請求項１記載の半導体集積回路装置において、前記共通トランジスタとなる前記トリプルゲートトランジスタを等価的に構成する各シングルゲートトランジスタの ゲート幅 は、前記第１〜第Ｎトランジスタにおける各ゲート幅の合計値の±２０％の範囲であることを特徴とする半導体集積回路装置。

• 登録日：2014/03/14
• 出典：半導体集積回路装置および高周波モジュール
• 出願人：株式会社村田製作所

好ましくは，第１，第２，ダミー，第３，第４，第５のインバータの ゲート幅 の比が，ｍ／２：ｍ２：ｍ／２：１：ｍ：ｍ２であり，前記ｍはインバータの増倍率である。

• 公開日：2011/07/07
• 出典：単相差動変換回路
• 出願人：富士通株式会社

読み出しゲート電極２３が環状に形成されるので、 ゲート幅 Ｗが大きくなり、さらに読み出し易くなる。

• 公開日：2011/03/10
• 出典：固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
• 出願人：ソニー株式会社

前記指標値が、標準偏差であり、前記入力変数値セットが、ゲート長及び ゲート幅 と電圧値とを含み、前記出力変数値が、電流値であり、前記部分誤差が、前記ゲート長及びゲート幅と電圧値との特定の組み合わせについて、（｜前記計算電流値−前記実測電流値|−前記標準偏差）と０とのうち大きい方の値であり、前記全体誤差が、前記ゲート長及びゲート幅の特定の組み合わせについて前記部分誤差の自乗を全ての前記電圧値について加算した値を前記電圧値の数で除した第２の部分誤差を、前記ゲート長及びゲート幅の全ての組み合わせについて加算して前記ゲート長及びゲート幅の組み合わせの数で除した値である請求項１記載の入力パラメータ値セット特...

• 公開日：2011/05/12
• 出典：入力パラメータ値セット特定プログラム、方法及び装置
• 出願人：富士通株式会社

...れた際の電界吸収型光変調器１２の相互吸収飽和による光ゲート動作を利用して被測定光信号Ｐｘをサンプリングし、等価サンプリング方式で被測定光信号Ｐｘの波形を測定するサンプリング波形測定装置１０１において、光ゲート動作の立ち下がり速度を速める ゲート幅 調整用電気パルスＶｐｍを電界吸収型光変調器１２に入力するゲート幅調整手段１６を備えることを特徴とする。

• 公開日：2011/02/03
• 出典：サンプリング波形測定装置
• 出願人：アンリツ株式会社

本発明の電気泳動表示装置は、ラッチ回路７０の転送インバータ７０ｔを構成するＰ−ＭＯＳトランジスタ７１の ゲート幅 が、ラッチ回路７０の帰還インバータ７０ｆを構成するＰ−ＭＯＳトランジスタ７３のゲート幅よりも大きいことを特徴とする。

• 公開日：2010/04/22
• 出典：電気泳動表示装置及び電子機器
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

...トランジスタのゲートとが接続され、前記第１のトランジスタと前記第３のトランジスタとが縦列に接続され、前記第２のトランジスタと前記第４のトランジスタとが縦列に接続され、前記第２のトランジスタのドレインから前記バイアス電圧が出力されるように構成し、 さらに、前記第１及び第２のトランジスタのゲート長及び ゲート幅 は同じであり、前記第１から第４のトランジスタのゲート長は同じであり、前記第１のトランジスタのゲート幅に対する前記第３のトランジスタのゲート幅の比をｋ３、前記第１のトランジスタのゲート幅に対する前記第４のトランジスタのゲート幅の比をｋ４とした場合、ｋ４−０．５—ｋ３−０．５が略１になるように、...

• 公開日：2011/03/24
• 出典：バイアス回路、及びバイアス回路に対する制御方法
• 出願人：富士通株式会社

ゲート長および ゲート幅 が同じ単位トランジスタを用意し、この単位トランジスタを並列に接続する個数を変えることにより、ゲート長が同じでゲート幅が異なる複数のトランジスタを構成してもよい。

• 公開日：2010/10/07
• 出典：増幅回路
• 出願人：富士通株式会社

第１のＭＯＮＯＳ型不揮発性記憶素子と、前記第１のＭＯＮＯＳ型不揮発性記憶素子よりも ゲート幅 が広い第２のＭＯＮＯＳ型不揮発性記憶素子とを同一基板に混載し、前記第１のＭＯＮＯＳ型不揮発性記憶素子を書換回数が少ないプログラムのデータ記憶用として用い、前記第２のＭＯＮＯＳ型不揮発性記憶素子を書換回数が多い処理データ記憶用として用いる。

• 公開日：2008/02/21
• 出典：半導体装置
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社