キャリア密度 の意味・用法を知る

光透過性導電フィルム１は、光透過性基材２と、非晶質光透過性導電層３とを備える光透過性導電フィルム１であって、非晶質光透過性導電層３の キャリア密度 をＸａ×１０１９（／ｃｍ３）、ホール移動度をＹａ（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）とし、非晶質光透過性導電層３を加熱処理した後の被加熱光透過性導電層のキャリア密度をＸｃ×１０１９（／ｃｍ３）、ホール移動度をＹｃ（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）とし、移動距離Ｌを、｛（Ｘｃ−Ｘａ）２＋（Ｙｃ−Ｙａ）２｝１／２としたときに、下記（１）〜（３）の条件を満たす。

• 公開日：2017/05/25
• 出典：光透過性導電フィルムおよび調光フィルム
• 出願人：日東電工株式会社

水素及びランタノイド系元素を含有する酸化インジウムの多結晶構造からなる透明導電膜の製造方法であって、前記透明導電膜の キャリア密度 とホール移動度との関係が、前記透明導電膜における結晶粒界散乱の影響を排除したキャリア密度とホール移動度との関係にほぼ一致するように、前記透明導電膜の成長雰囲気の水素源の分圧を調整することを特徴とする透明導電膜の製造方法。

• 公開日：2016/04/25
• 出典：透明導電膜、これを用いた装置または太陽電池、及び透明導電膜の製造方法
• 出願人：長州産業株式会社

酸化環境がチャネル領域に隣接して提供され、ゲートおよびチャネル領域は、酸化環境内で加熱され、チャネル領域の キャリア密度 が減少する。

• 公開日：2014/08/21
• 出典：改善されたソース／ドレイン接点を有する金属酸化物薄膜トランジスタ
• 出願人：シーブライト・インコーポレイテッド

また、インゴット１の成長方向における キャリア密度 の変動は、平均キャリア密度の±８０％以下である。

• 公開日：2013/07/08
• 出典：インゴット、基板および基板群
• 出願人：住友電気工業株式会社

第１のゲート電極と、第１のゲート電極を覆うゲート絶縁層と、第１のゲート電極と重畳して、且つゲート絶縁層と接する酸化物半導体層と、酸化物半導体層の端部を覆う キャリア密度 の高い酸化物半導体層と、キャリア密度の高い酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、ソース電極、ドレイン電極及び酸化物半導体層を覆う絶縁層と、絶縁層と接し、且つ、ソース電極及びドレイン電極の間に設けられる第２のゲート電極と、を有し、キャリア密度の高い酸化物半導体層は、酸化物半導体層を介して対向し、且つ酸化物半導体層の端部の上面、下面、及び側面のそれぞれ一部、並びにゲート絶縁層の上面一部と接する半導体装置である。

• 公開日：2012/12/27
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

このため、接合部の キャリア密度 は高くなり難くい。

• 公開日：2013/06/06
• 出典：半導体光素子
• 出願人：富士通株式会社

...第２半導体層の表面に形成された絶縁体からなる保護膜と、前記第２半導体層上で前記保護膜に乗り上げて少なくとも１段の段差を有する階段形状を成している第１電極と、前記第２半導体層の表面にオーミック接触する第２電極と、を備え、前記第１半導体層の前記第２半導体層との界面にはキャリアが発生しており、該キャリアの キャリア密度 は、前記第１電極の段差の角部および前記第１電極の前記第２電極側端部の少なくともいずれか一つの直下の第１領域にて他の領域である第２領域におけるキャリア密度よりも低い半導体装置。

• 公開日：2014/05/12
• 出典：半導体装置
• 出願人：古河電気工業株式会社

比較的低温で作製でき、屈曲性のある樹脂基板上にも形成可能な半導体薄膜であって、 キャリア密度 が低いとともに、ホール移動度が高く、また、エネルギーバンドギャップが大きい半導体薄膜、及びそのような半導体薄膜の製造方法、並びにそのような半導体薄膜を用いた、電界効果移動度とｏｎ−ｏｆｆ比が高いとともに、漏れ電流の発生などの照射光による影響を小さくして、素子特性を向上させた薄膜トランジスタを提供する。

• 公開日：2013/12/19
• 出典：半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
• 出願人：出光興産株式会社

酸化物半導体層の保護膜側界面の キャリア密度 がゲート絶縁層側のキャリア密度より小さく、および酸化物半導体層の膜厚が最適化された薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。

• 公開日：2013/01/24
• 出典：薄膜トランジスタおよびその製造方法
• 出願人：キヤノン株式会社

そして、取得したＣＶ特性から キャリア密度 を見積もる。

• 公開日：2011/06/16
• 出典：評価方法、半導体装置の作製方法
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所