キセノンガス の意味・用法を知る
キセノンガス とは、各種放電ランプと付属装置 や放電灯(電極、封入物、うつわ内の圧力) などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社小松製作所 やウシオ電機株式会社 などが関連する技術を5,485件開発しています。
このページでは、 キセノンガス を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
キセノンガスの意味・用法
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試料ガス中の キセノンガス 等の測定対象ガスを、バックグランド放射能の影響を受けずに高感度で測定し、しかも、試料ガスの制約を少なくする。
- 公開日:2013/01/31
- 出典:測定方法及びこれを用いた核燃料破損の検出方法、並びに、測定装置及びその使用方法
- 出願人:株式会社日本エイピーアイ
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本発明の光照射治療・予防用閃光放電管7は、生体の特定部位に照射することにより治療又は予防する光照射治療・予防用閃光放電管7であって、ガラスバルブと、該ガラスバルブの内部に封入される封入ガスとを備え、該封入ガスは、ネオンガスと キセノンガス との混合ガスであり、該混合ガス100mol%に対して、0.23mol%以上、1.21mol%以下のキセノンガスを含むという構成を有する。
- 公開日:2014/07/31
- 出典:光照射治療・予防用閃光放電管及び光照射治療・予防装置
- 出願人:パナソニック株式会社
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キセノンガス 等の希ガスとオゾンガスとの混合ガスを被処理物に作用させ、その混合ガスに紫外光を照射作用させる。
- 公開日:2010/01/14
- 出典:オゾンガス利用表面処理方法とその装置
- 出願人:岩谷産業株式会社
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本発明は、高い偏極率の キセノンガス を高濃度で濃縮することができる偏極キセノンガスの濃縮方法の提供を目的とする
- 登録日:2013/02/08
- 出典:偏極キセノンガスの濃縮方法、偏極キセノンガスの製造供給装置及びMRIシステム
- 出願人:国立大学法人大阪大学
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キセノン精留装置10は、リボイラー15と、上部に順に連設された精留筒16およびコンデンサー17を備えた精留塔11を有し、コンデンサー17は キセノンガス の凝縮部28をなす内部空間が設けられた凝縮部本体23、頂部に設けられ凝縮部本体23を冷却する蓄冷式小型冷凍機24の冷却部ヘッド32、凝縮部28と冷却部ヘッド32の間に設けられた電気ヒーター25および第一の温度センサー26、および、凝縮部28の下部に設けられた第二の温度センサー27を備え、凝縮部28に凝縮部本体23の頂部側の内面から垂下する多数の柱状の伝熱部29が互いに間隔を置いて設けられている。
- 公開日:2010/06/10
- 出典:キセノン精留装置
- 出願人:大陽日酸株式会社
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エッチング装置は、エッチング室11内で移動可能に支持され、試料Wをエッチングする処理空間22と、該処理空間22に供給する二フッ化 キセノンガス を一時的に貯留する貯留空間23とに区画するとともに、処理空間22と貯留空間23との間で二フッ化キセノンガスを流通不能にするステージ21を備えた。
- 公開日:2009/11/12
- 出典:エッチング装置
- 出願人:株式会社アルバック
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透光性基板11として、合成石英基板(大きさ152mm×152mm×厚み6.35mm)をスパッタリング装置に導入し、タンタル(Ta)とハフニウム(Hf)の合金(タンタル:ハフニウム=80:20原子比)からなるターゲットを キセノンガス でスパッタリングし、合成石英基板上に42nmの厚みのタンタル−ハフニウム合金からなる遮光性膜12を成膜した。
- 公開日:2008/09/11
- 出典:マスクブランク、露光用マスクの製造方法、反射型マスクの製造方法、及びインプリント用テンプレートの製造方法
- 出願人:HOYATechnosurgical株式会社
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前記容器及び配管を含む供給系統を2系統以上備え、前記制御手段は、一つの供給系統から二フッ化 キセノンガス を前記真空処理装置に供給しているときに、該供給系統に設けられた前記圧力検出手段が測定した測定圧力が前記設定圧力に対して低い状態があらかじめ設定した時間経過したときに容器交換信号を発信し、使用中の供給系統を閉止し、他の供給系統から二フッ化キセノンガスを供給する状態に切り替える系統切替手段を備えるとともに、閉止した供給系統の配管内に残留した二フッ化キセノンガスをパージガスで置換し、該供給系統の容器交換を可能な状態とするガス置換手段を備えていることを特徴とする請求項1乃至3いずれか1項記載の二フッ化...
- 公開日:2009/02/05
- 出典:二フッ化キセノンガス供給装置
- 出願人:大陽日酸株式会社
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放電容器(11)内に充填される放電ガスは キセノンガス を主体とし、マイクロ波パルスは、放電容器(11)内に充填されたキセノンガスの電子温度が1eV〜2eVとなるパルス周波数、及びデュ−ティ比としたことを特徴とする請求項1記載のアンテナ励起型ガス放電灯。
- 公開日:2009/04/16
- 出典:アンテナ励起型ガス放電灯
- 出願人:株式会社プラズマアプリケーションズ
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本発明のショートアーク型放電ランプは、発光部とその両端に繋がる枝管部とを備えた発光管の内部に キセノンガス が封入されるとともに、発光管の内部空間にて陰極及び陽極が対向配置されたショートアーク型放電ランプにおいて、前記発光管は、陰極側の枝管部に凸部が形成され、該凸部は、発光管内部の空間に繋がるとともに、キセノンガスが流れ込むことが可能な補助空間を有することを特徴とする。
- 公開日:2006/04/06
- 出典:ショートアーク型放電ランプ
- 出願人:ウシオ電機株式会社
キセノンガスの特徴 に関わる言及
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ