ガス の意味・用法を知る
ガス とは、気相成長(金属層を除く) やCVD などの分野において活用されるキーワードであり、東京エレクトロン株式会社 やパナソニック株式会社 などが関連する技術を249,584件開発しています。
このページでは、 ガス を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
ガスの意味・用法
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ガス バーナにガスと空気とを送風する送風ファンの入口に混合部を取り付け、その混合部内に空気通路を2本並列に形成し、その2本の空気通路の各々にガスが空気流に吸い出されるガス用吸引口を設け、一方の空気通路とその空気通路に設けたガス用吸引口とを開閉する従来のものでは、ターンダウン比を大きくすることはできるが、開閉時に送風ファンの回転数を瞬時に、かつ大きく変更しなければならないので、燃焼量の切替がスムーズに行いにくい。
- 公開日:2018/04/05
- 出典:予混合式ガスバーナ
- 出願人:リンナイ株式会社
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送風ファンの吸気口に向かう空気通路の途中に空気用弁口を設けると共に、この吸気口に向かう ガス 通路の途中にガス用弁口を設け、かつ、空気用弁口に対する距離を変更することによって空気用弁口の開度を増減する空気用弁体と、ガス用弁口に対する距離を変更することによってガス用弁口の開度を増減するガス用弁体とを設け、上記送風ファンの吸気口に生じる負圧を受けて移動するダイアフラムに、ダイアフラムがこの負圧によって移動することによって両弁口の開度を増加させる方向に移動するようにした。
- 公開日:2018/02/01
- 出典:予混合式ガスバーナ
- 出願人:リンナイ株式会社
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気密保持可能で ガス の出入口を備えた耐圧容器を備え、耐圧容器の内部にガス吸蔵空間を設けたガス貯蔵装置であって、前記ガス吸蔵空間に請求項7または8に記載の吸蔵材を内装してあるガス貯蔵装置。
- 公開日:2017/03/09
- 出典:多孔性金属錯体組成物
- 出願人:株式会社クラレ
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被処理基板上に、シリコン窒化膜を成膜するシリコン窒化膜の成膜方法であって、被処理基板に対して、シリコン原料 ガス を吸着させる処理と、吸着した前記シリコン原料ガスを、窒化ガスのプラズマにより窒化する処理とを、第1の回数繰り返してシリコン窒化膜を成膜する工程と、被処理基板に対して、塩素を含有するチタン原料ガスを吸着させる処理と、吸着した前記チタン原料ガスを、窒化ガスのプラズマにより窒化させる処理とを、第2の回数繰り返して窒化チタン膜を成膜する工程とを所定回数繰り返し、所定量のチタンをドープしたシリコン窒化膜を成膜する。
- 公開日:2018/02/15
- 出典:シリコン窒化膜の成膜方法および成膜装置
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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バブル製造用容器20は、両端部と、両端部間に形成された突出部211と、開口部とを有する容器本体21と、容器本体21の開口部上に設けられたセプタム23とを有し、セプタム23を通して水性液体と ガス とを容器本体21に充填し、容器本体21を密閉状態下、振動させて、質量の大きい錘部5を固定した両端部に水性液体を衝突させて、その際に発生する衝撃波により、マイクロバブル又はナノバブルを製造するバブル製造用容器20。
- 公開日:2017/06/01
- 出典:バブル製造用容器
- 出願人:SonoCore株式会社
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これらのプラズマ洗浄方法において、 ガス をプラズマ化する方法は特に問わない。
- 公開日:2015/09/07
- 出典:プラズマ洗浄装置
- 出願人:サムコ株式会社
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ガス 特性を相関により決定する方法であって、前記方法では、複数のガス及び/又はガス混合物の複数の物理的測定量(μj(j=1,...,m))からの相関によってガス特性(Q)が決定され、前記複数の物理的測定量(μj(j=1,...,m))は、センサ出力関数(f)を利用することにより結合されてセンサ出力(Sout=f(μ1,...,μm))となり、前記センサ出力(Sout)をと比較することにより、前記方法が適用される複数のガス及び/又はガス混合物からなる集合(G)の中で前記センサ出力が、以下でガス混合物群(GG)と呼ばれる、前記センサ出力(Sout)と決定しようとする前記ガス特性(Q)との間の相関が前...
- 公開日:2017/06/22
- 出典:ガス特性を相関により決定するための方法及び測定装置
- 出願人:メムスアクチェンゲゼルシャフト
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ルイス酸分解産物を産出しない補助塩及びリチウム塩を備える塩系と、 ガス 抑制剤、式(1)によって表される少なくとも1種のスルホニル基を含有する第1の添加剤、第2の添加剤、ビニレンカーボネートを備える添加剤、及び少なくとも1種の有機溶媒を備える非水電解質液。
- 公開日:2016/06/20
- 出典:広い温度範囲のサイクルにおけるガス発生を抑えた電解質組成物及び二次電池
- 出願人:エー123システムズエルエルシー
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ベルトセパレータシステムは、縦方向中心線の対向する側上に配列され、その間に電場を提供するように構成されている、第1の電極および第2の電極と、システムの第1の端部に配置された第1のローラと、システムの第2の端部に配置された第2のローラと、第1および第2の電極間に配置され、第1のローラおよび第2のローラによって支持されている、連続ベルトと、連続ベルトによって連続ベルトの間に画定された分離区域と、 ガス を分離区域に送達するために、システムの壁に沿って周期的場所に位置付けられている、複数のガスノズルとを備える。
- 公開日:2018/03/08
- 出典:ベルトタイプセパレータデバイスのための縁空気ノズル
- 出願人:セパレーション・テクノロジーズ・エルエルシー
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塩素含有 ガス 及び酸素ガスを処理チャンバ内に供給し、これら各ガスをプラズマ化し、生成されたプラズマによって、インジウム含有層を含む基板をエッチングし、インジウム含有層にエッチング構造を形成する方法において、塩素含有ガス及び酸素ガスの総流量に占める酸素ガスの流量の比率が3%以上35%以下となるように、処理チャンバ内に塩素含有ガス及び酸素ガスを供給し、基板の温度を30℃以上150℃以下に調整する。
- 公開日:2017/10/05
- 出典:エッチング方法
- 出願人:SPPテクノロジーズ株式会社
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ