エッチング条件 の意味・用法を知る

シリコン基板の厚さ方向に孔を形成する際に好ましい エッチング条件 をより簡易に探索することが可能なシリコンエッチング装置を提供する。

• 公開日：2013/08/08
• 出典：シリコンエッチング方法
• 出願人：株式会社アルバック

マスクパターンをマスクとして、第１の エッチング条件 で第１のマスク膜をエッチングすることにより、第１のマスク膜に、配線パターンに対応する第２の開口を形成する。

• 公開日：2013/07/08
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：富士通セミコンダクター株式会社

エッチングマスク膜についてのパターン形成膜をエッチングする際の耐エッチング性と、パターン形成膜についてのパターン形成膜をエッチングする際の被エッチング性との双方を評価して、良好な エッチング条件 を見出すことができるパターン形成膜のエッチング条件の評価方法を提供する。

• 公開日：2013/06/06
• 出典：パターン形成膜のエッチング条件の評価方法
• 出願人：信越化学工業株式会社

本発明が解決しようとする課題は、エッチング処理完了時から配線幅の計測時までの時間を短縮し、 エッチング条件 の修正を迅速に行うことにより、生産歩留まりの低下を抑制できるプリント配線板の製造方法を提供する

• 登録日：2013/12/27
• 出典：プリント配線板の製造方法
• 出願人：株式会社フジクラ

被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定の エッチング条件 で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。

• 公開日：2010/06/03
• 出典：電子デバイスの製造方法及び設定装置
• 出願人：富士通セミコンダクター株式会社

次に、第１の エッチング条件 とは異なる第２のエッチング条件で、キャップ膜２０の残部２２と低誘電率膜１０とを一括してエッチングする（第２のエッチング工程）。

• 公開日：2008/06/05
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

高密度誘導結合プラズマを用いたドライエッチングが、順に行われる エッチング条件 の異なる第一ドライエッチングと第二ドライエッチングを備えている炭化珪素半導体装置の製造方法とする。

• 公開日：2007/12/13
• 出典：炭化珪素半導体装置の製造方法
• 出願人：富士電機株式会社

請求項１または２記載のプラズマエッチング装置を用いて複数のガス条件を順次切換えて試料をエッチングするプラズマエッチング方法において、現在の エッチング条件 では使用せず、かつ、次のエッチング条件で使用するガスラインについて、あらかじめ該ガスラインの第２バルブを開き、前記マスフローコントローラの流量を０以外の値に設定するとともに、条件切換えのタイミングで、前記ガスラインの第１バルブを開き、かつ、前記ガスラインの第２バルブを閉じることを特徴とするプラズマエッチング方法。

• 公開日：2008/04/17
• 出典：プラズマエッチング方法。
• 出願人：株式会社日立ハイテクサイエンス

太陽電池用基板の表面にドライエッチング法で微細な凹凸を形成して粗面状にする太陽電池用基板の粗面化法において、前記ドライエッチング法の条件として、それぞれ単独で微細な凹凸を形成できる少なくとも２つ以上の異なる エッチング条件 を含み、この２つのエッチング条件のうち、後に行うエッチング条件で形成される凹凸形状の面内平均のアスペクト比が、始めに行うエッチング条件で形成される凹凸形状の面内平均のアスペクト比よりも大きいことを特徴とする。

• 公開日：2003/07/11
• 出典：太陽電池用基板の粗面化法
• 出願人：京セラ株式会社

請求項１記載の立体形状測定装置において、上記表示する機能は、異なる エッチング条件 により得られた評価結果の組を同時に表示することを特徴とする立体形状測定装置。

• 公開日：2005/03/24
• 出典：立体形状測定装置
• 出願人：株式会社日立ハイテクサイエンス