エッチング方法 の意味・用法を知る

フォトリソプロセスによるレジストバターン形成の工程を減少できる エッチング方法 を提供する。

• 公開日：2016/06/23
• 出典：エッチング方法
• 出願人：凸版印刷株式会社

基板上に形成されたシリコン膜をエッチングする エッチング方法 であって、臭化水素（ＨＢｒ）ガス、三フッ化窒素（ＮＦ３）ガス及び酸素（Ｏ２）ガスを含むガスをチャンバ内に供給し、供給したガスから生成されたプラズマによりシリコン膜をエッチングする複数の工程を有し、前記複数の工程において前記臭化水素ガスの流量を段階的に減少させ、前記酸素ガスの流量を、前記臭化水素ガスの減少に応じて調整する、エッチング方法が提供される。

• 公開日：2016/12/15
• 出典：エッチング方法及びエッチング装置
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

基材を良好なパターン寸法精度で加工して、優れた寸法精度の被加工物を得ることができる エッチング方法 を提供すること。

• 公開日：2016/02/01
• 出典：エッチング方法
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

III 族窒化物半導体からの窒素原子の優先的な脱離を抑制しつつエッチングを実施することのできるIII 族窒化物半導体の エッチング方法 およびIII 族窒化物半導体装置の製造方法を提供することである。

• 公開日：2015/04/02
• 出典：ＩＩＩ族窒化物半導体のエッチング方法およびＩＩＩ族窒化物半導体装置の製造方法
• 出願人：国立大学法人名古屋大学

本発明が解決しようとする技術課題は、従来の静電容量式タッチパネルの間隙部のインジウムスズ酸化物薄膜の エッチング方法 で加工された製品の表示効果が低く、製造効率が低いという問題を解決することであり、すなわち、表示効果が高く、製造効率が高い静電容量式タッチパネルおよびその間隙部のインジウムスズ酸化物薄膜のエッチング方法を提供する

• 登録日：2018/03/09
• 出典：静電容量式タッチパネルおよびその間隙部のインジウムスズ酸化物薄膜のエッチング方法
• 出願人：昆山維信諾顕示技術有限公司

窒化チタン（ＴｉＮ）を含む第１層をエッチングするにあたり、前記ＴｉＮ含有層および金属層のエッチング後の表面の均一化を実現できる エッチング方法 、これに用いられるエッチング液、及びこれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。

• 公開日：2014/06/09
• 出典：半導体基板のエッチング方法及び半導体素子の製造方法
• 出願人：富士フイルム株式会社

得られるパターンのＬＥＲ及びＬＷＲの値を抑制できる、 エッチング方法 を提供すること。

• 公開日：2015/03/16
• 出典：エッチング方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

表面上に保護膜１１が形成され、この表面の反対側の裏面に凹部１３を有する基板１０を用意し、保護膜１１上にレジストパターン１２を形成し、レジストパターン１２をマスクとして、バイアス電圧を印加しながらプラズマを用いて保護膜１１をエッチングする保護膜１１の エッチング方法 において、保護膜１１が存在する上記表面の被覆領域Ｒ１に対応する基板１０の対応領域Ｒ２の比誘電率の減少の態様に応じて、バイアス電圧を増加させる。

• 公開日：2014/10/16
• 出典：保護膜のエッチング方法およびテンプレートの製造方法
• 出願人：富士フイルム株式会社

従来より歩留りを向上することができる エッチング方法 を提供する。

• 公開日：2014/05/12
• 出典：エッチング方法
• 出願人：株式会社ミマキエンジニアリング

窒化チタン（ＴｉＮ）を含む第１層をエッチングするにあたり、前記ＴｉＮ層および金属層のエッチング後の表面の均一化を実現できる エッチング方法 、これに用いられるエッチング液、及びこれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。

• 公開日：2014/05/29
• 出典：半導体基板のエッチング方法及び半導体素子の製造方法
• 出願人：富士フイルム株式会社