ウェ の意味・用法を知る
ウェ とは、エレベータの種類及び形式 やウエハ等の容器,移送,固着,位置決め等 などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社東芝 や三菱電機ビルテクノサービス株式会社 などが関連する技術を23,427件開発しています。
このページでは、 ウェ を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
ウェの意味・用法
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半導体 ウェ −ハの熱処理時にウェ−ハを水平に支持するウェ−ハ支持ピン先端部の形状と表面粗さを合理的に設定し、支持ピン先端部の消耗の一様かつ安定化を促し、接触面積の低減を長期間維持して寿命の向上と熱処理の生産性の向上を図るとともに、支持ピン先端部の消耗を安定させて支持ピン先端部の接触面積と熱容量の低減を長期間維持し、熱応力によるウェ−ハのスリップ欠陥の発生を抑制するとともに、長期間の高温連続処理を実現し、ウェ−ハの品質の安定化と生産コストの低減を図れる、ウェ−ハ支持ピンを提供すること。
- 公開日:2017/02/16
- 出典:ウェ−ハ支持ピン
- 出願人:テクノクオーツ株式会社
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同組成物は、 ウェ デリア・チネンシスの抽出物であり得る。
- 公開日:2016/08/08
- 出典:高トリグリセリド血症を治療する、または高トリグリセリド血症を発症するリスクを低減するための医薬組成物
- 出願人:ウィンテックコーポレイション
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建物本体とランプ ウェ ー(スロープ)とに超耐久性を付与した建造物を提供する。
- 公開日:2016/12/01
- 出典:摩擦接続構造を備えたコンクリート造ランプウェー建造物
- 出願人:黒沢建設株式会社
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前記携帯型装置は、 ウェ ラブルデバイスであることを特徴とする請求項2〜7のいずれか一項に記載の機器状態確認システム。
- 公開日:2016/04/21
- 出典:機器状態確認システム
- 出願人:株式会社IHIエスキューブ
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建物本体とランプ ウェ ーとを、プレキャストPC造で構成して同時進行で構築できると共に、免震構造にし、超耐久性を付与してメンテナンスや補修の必要性を解消した構造物を提供する。
- 公開日:2016/08/18
- 出典:PCランプウェー建造物
- 出願人:黒沢建設株式会社
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ウェ ーディングスタッフであって、上段セグメントと、下段セグメントと、少なくとも1つの中段セグメントとによって構成され、それぞれ、空洞の芯部と、第一接続端部、第二接続端部を有するシャフトを有し、前記下段セグメントの第一接続端部と、前記上段セグメントの前記第二接続端部と、前記中段セグメントの第一接続端部と第二接続端部とには、開口部が形成された磁石部がそれぞれ配置されるセグメントと;前記上段セグメントの前記第一接続端部と前記下段セグメントの前記第二接続端部とに固定され、各セグメントの空洞の芯部を通り、前記中段セグメントの第一接続端部と第二接続端部との間における開口部によって受け取られるコードと;を有...
- 公開日:2014/09/22
- 出典:分割式シャフトにおける磁気によってアシストされた連結部
- 出願人:エッジウォーターインターナショナル,インク
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成長速度が大きく、高周波コイルだけに頼らないで四角形状の温度分布が容易に制御でき、結晶欠陥の形成が抑制され、抵抗率の面内分布が均一化された四角形の断面を有する単結晶シリコンの育成方法、及び四角形のシリコン ウェ −ハを提供する。
- 公開日:2011/10/06
- 出典:四角形の断面を有する単結晶シリコンの育成方法
- 出願人:国立研究開発法人物質・材料研究機構
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バンド ウェ ーのガイド面上への異物の堆積を確実に防止する。
- 公開日:2002/02/06
- 出典:梱包機およびその異物除去方法
- 出願人:ストラパック株式会社
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エピタキシャル成長やエッチング処理を施す際、 ウェ −ハを所定温度に維持することが難しく、品質がばらつくおそれがあった。
- 公開日:2002/01/09
- 出典:熱処理装置
- 出願人:株式会社SUMCO
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ウェ デロラクトンからなることを特徴とする育毛剤原料及びタカサブロウ(Eclipta alba (L.) Hassk )の溶媒抽出物を、アルカリ性溶液を用いて再度抽出した後、水層を中和又は酸性化することにより生じる沈殿物の有機溶媒可溶画分をクロマトグラフィーにより精製することを特徴とするウェデロラクトンの精製方法とする。
- 公開日:2000/12/12
- 出典:育毛剤原料及び育毛剤組成物
- 出願人:株式会社マンダム
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
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半導体の露光(電子、イオン線露光を除く)
- 半導体の露光の共通事項
- 紫外線,光露光の種類
- 紫外線,光露光用光源
- 光学系
- ステージ,チャック機構,及びそれらの動作
- ウェハ,マスクの搬送
- 露光の制御,調整の対象,内容
- 検知機能
- 検知機能の取付場所
- 制御,調整に関する表示,情報
- 位置合わせマーク
- 位置合わせマークの配置
- 位置合わせマークの特殊用途
- 位置を合わせるべき2物体上のマーク
- 位置合わせマークの光学的検出
- 検出用光学系
- 位置合わせマークの検出一般及び検出の補助
- X線露光
- X線光学系
- X線源
- X線露光用マスク
- レジスト塗布以前のウェハの表面処理
- レジスト塗布
- ベーキング装置
- 湿式現像,リンス
- ドライ現像
- レジスト膜の剥離
- 多層レジスト膜及びその処理
- 光の吸収膜,反射膜