アクティブ領域 の意味・用法を知る

...レンズを移動させるレンズ駆動部(16)と、フォーカスレンズの移動可能な範囲を複数のフォーカス領域に分割する制限位置を記憶するための制限位置記憶部(20b)と、フォーカスレンズの位置を検出するフォーカスレンズ位置取得部(20a)と、フォーカスレンズの位置に基づいて、フォーカスレンズが位置している領域を アクティブ領域 として特定するアクティブ領域特定部(20c)と、アクティブ領域特定部により特定されたアクティブ領域内でフォーカスレンズを移動させることにより合焦を行うようレンズ駆動部の駆動を制御する合焦制御部(20d)と、を有することを特徴としている。

• 公開日：2017/09/28
• 出典：レンズユニット及びそれを備えた撮像システム
• 出願人：株式会社タムロン

本発明に係る有機発光表示装置は、ベース基板の アクティブ領域 に設けられた有機発光素子層と、有機発光素子層を保護可能に封止（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）する封止層と、封止層で有機発光素子層の上面及び側面を覆うように有機発光素子層上に設けられた接着層と、封止層で接着層上に設けられた封止基板とを備え、有機発光素子層の側面からの透湿を防止し得るように封止基板はアクティブ領域とアクティブ領域の外周で異なる厚さで設けられる。

• 公開日：2017/06/22
• 出典：有機発光表示装置
• 出願人：エルジー．フィリップスエルシーデーカンパニー，リミテッド

ＢｕｌｋＡｃｏｕｓｔｉｃＷａｖｅ共振器（ＢＡＷＲ）であって、２つの電極とその間に配置された圧電層を有する電気音響 アクティブ領域 と、支持基板と、前記電気音響アクティブ領域と前記支持基板との間に配置され、低熱伝導層と前記低熱伝導層よりも高い熱伝導性を有する高熱伝導層とを備える音響ミラー、ここにおいて、前記低熱伝導層は、前記電気音響アクティブ領域から前記支持基板への熱流を低減する、と、前記支持基板および前記電気音響アクティブ領域に結合されたヒートブリッジ、ここにおいて、前記ヒートブリッジは、少なくとも１つの前記低熱伝導層に配置され、少なくとも１つの前記高熱伝導層と前記電気音響アクティブ領域又は前記支...

• 登録日：2020/02/28
• 出典：自己発熱が低減されたＢＡＷ共振器、共振器を備える高周波フィルタ、高周波フィルタを備えるデュプレクサ、及びその製造方法
• 出願人：スナップトラック・インコーポレーテッド

平面視において、第１の転送トランジスタのゲート下における電荷蓄積部側の アクティブ領域 の幅が、第１の転送トランジスタのゲート下における光電変換部側のアクティブ領域の幅よりも大きい。

• 公開日：2016/06/23
• 出典：固体撮像装置
• 出願人：キヤノン株式会社

アクティブ領域 ３および非アクティブ領域４を有する半導体基板２と、アクティブ領域３に形成され、少なくともｎ型ベース層１３とｐｎ接合部を形成するｐ型コラム層１４およびｐ型ベース層１５を含むＭＩＳＦＥＴ構造と、非アクティブ領域４に形成され、ｎ型ベース層１３とｐｎ接合部を形成するｐ型ガードリング１１と、ｐ型コラム層１４およびｐ型ベース層１５に電気的に接続されたソースパッド８と、ｎ＋型ドレイン層１２に電気的に接続されたドレイン電極２２とを含む半導体装置１において、アクティブ領域３と非アクティブ領域４とで互いに深さが異なる結晶欠陥領域２３を形成する。

• 公開日：2017/03/23
• 出典：半導体装置および半導体装置の製造方法
• 出願人：ローム株式会社

半導体基板２と、半導体基板２の表面部に配置されたｐ型ベース領域８と、表面７からｐ型ベース領域８の底部を超えて延び、それぞれの間に アクティブ領域 １０を定義する複数のゲートトレンチ９と、アクティブ領域１０に配置され、それぞれが隣り合うゲートトレンチ９をつなぐｎ＋型エミッタ領域１７と、ゲートトレンチ９に埋め込まれたゲート電極１２と、ゲート電極１２上のスペース１３に埋め込まれ、表面７と同じか当該表面７よりも低い高さ位置に上面１５を有する埋め込み絶縁膜１４と、アクティブ領域１０および埋め込み絶縁膜１４を覆っており、ｐ型ベース領域８およびｎ＋型エミッタ領域１７に電気的に接続されたエミッタ電極１９とを含む、...

• 公開日：2015/11/26
• 出典：半導体装置および半導体装置の製造方法
• 出願人：ローム株式会社

基板１１０と、基板の下に配置され、第１導電型半導体層１２２、活性層１２４及び第２導電型半導体層１２６を含む発光構造物１２０と、サブマウント１４０と、サブマウント上に互いに電気的に離隔して配置された第１及び第２金属パッド１５２，１５４と、第１導電型半導体層と第１金属パッドとの間に配置された第１バンプ１６２−１，１６２−２と、第２導電型半導体層と第２金属パッドとの間に配置された第２バンプ１６４−１とを含み、第１導電型半導体層及び活性層が配置された複数の アクティブ領域 は、互いに離隔した平面形状を有する。

• 公開日：2015/04/20
• 出典：発光素子、それを含む発光素子パッケージ及びパッケージを含む照明装置
• 出願人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド

そして、発熱素子は、熱源となる アクティブ領域 において、相対的に高温となる高温領域と低温領域とを有し、第１発熱素子と第２発熱素子における各々の高温領域は、冷却媒体の流れ方向に直交する方向において互いに異なる位置に形成される。

• 公開日：2017/01/19
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社デンソー

磁気弾性的 アクティブ領域 を備えるディスク状部材を有する磁気トルク感知デバイスを提供すること。

• 公開日：2013/08/19
• 出典：変速機コンバーター駆動板のための磁気トルクセンサー
• 出願人：メソードエレクトロニクスインコーポレイテッド

平面図で見て、縁部にある アクティブ領域 （３３）の幾何学形状的な中心点（Ｐ）と、支持体（２）の最も近い縁辺との間の間隔（Ｄ）は、最大で、格子間隔（Ｍ）の６０％である。

• 公開日：2017/01/19
• 出典：オプトエレクトロニクス半導体部品と、自動車用のアダプティブヘッドライト
• 出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング