法人力指数の算出のため、まずは評価対象となる法人がこれまでに行ったすべての特許出願を対象として分野別法人力スコアの計算式を用いたスコアを計算します。
全法人のスコアを母集団として、評価対象となる法人の偏差値を計算し、その偏差値に基づいてAAA～Bまの10段階で評価しています。

**Sc-industry の詳細は法人力スコアを参照
Dev関数：偏差値の算出

発明者指数の算出のため、まずは評価対象となる発明者がこれまでに行ったすべての特許出願を対象として業界別発明者スコアの計算式を用いたスコアを計算します。
全発明者のスコアを母集団として、評価対象となる発明者の偏差値を計算し、その偏差値に基づいてAAA～Bまの10段階で評価しています。

*SI-industry の詳細は発明者スコアを参照
Dev関数：偏差値の算出

評価対象となる発明者について、特定の分野での評価を与えるための計算を行います。
パラメータとして特許出願や登録件数、独立請求項の数、他の特許の登録を阻止した実績等を加味して計算しています。

na = 出願のうち、取下・放棄・却下・未審査請求3年以上が経過したものを除いた数
nb = 登録のうち、満了消滅・不納消滅・異議消滅・無効消滅を除いた件数
La = naにカウントされる出願中特許の独立請求項数
Lb = nbにカウントされる登録特許の独立請求項数
Cam = naにカウントされる出願中特許で、その出願が他の自社出願に対し審査引用された回数
Cao = naにカウントされる出願中特許で、その出願が他社の出願に対し審査引用された回数
Cbm = nbにカウントされる登録特許で、その特許が他の自社出願に対し審査引用された回数
Cbo = nbにカウントされる登録特許で、その特許が他社の出願に対し審査引用された回数

売上高が公開されている法人を母集団とし、特許出願件数の上位m社の売上合計が推定対象となっている業界の市場規模のx%に相当すると仮定して計算します。
計算対象となる法人が、規模を推定したい業界に対して出願している割合やその業界で保持している特許の残存有効期間と、業界にかかわらず保持しているすべての特許の残存有効期間の割合等で計算対象となる法人の売上高に対して演算を施し、複数法人における演算結果を集計、補整することによって市場規模を推定しています。

AVG関数：引数を集合とし、その集合に包含される個々の要素の平均を算出
m = 売上合計が市場規模のx%に相当するために必要な法人数　（特許出願数の上位から順に選択）
x = 選択した上位m社の売上合計が市場規模に占める割合
na = 対象となる業界への出願のうち、取下・放棄・却下・未審査請求3年以上が経過したものを除いた数
na-all = 全ての業界への出願のうち、取下・放棄・却下・未審査請求3年以上が経過したものを除いた数
nb = 対象となる業界での登録のうち、満了消滅・不納消滅・異議消滅・無効消滅を除いた件数
nb-all = 計算対象となる法人の、全ての業界への登録のうち、満了消滅・不納消滅・異議消滅・無効消滅を除いた件数
Ya = naにカウントされる出願中特許で、20年から出願から現在までの経過年数を引いた年数
Ya-all = 全ての業界における出願中特許で、20年から出願から現在までの経過年数を引いた年数
Yb = nbにカウントされる登録特許で、その特許の権利満了までの残り年数
Yb-all = 全ての業界における登録特許で、その特許の権利満了までの残り年数

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信越半導体株式会社の詳細情報

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信越半導体株式会社

この法人の活動状況	2019年3月繊維，紙の分野から撤退した可能性が高いことが分かりました。 1999年3月繊維，紙の分野に新規参入した可能性が高いことが分かりました。 1988年8月生活必需品の分野に新規参入した可能性が高いことが分かりました。 1988年5月物理学の分野に新規参入した可能性が高いことが分かりました。 1986年9月固定構造物の分野に新規参入した可能性が高いことが分かりました。 1986年9月機械工学，照明，加熱，武器，爆破の分野に新規参入した可能性が高いことが分かりました。 1985年1月処理操作，運輸の分野に新規参入した可能性が高いことが分かりました。 1985年1月化学，冶金の分野に新規参入した可能性が高いことが分かりました。 1984年8月電気の分野に新規参入した可能性が高いことが分かりました。

この法人の
活動状況

2019年3月繊維，紙の分野から撤退した可能性が高いことが分かりました。
1999年3月繊維，紙の分野に新規参入した可能性が高いことが分かりました。
1988年8月生活必需品の分野に新規参入した可能性が高いことが分かりました。
1988年5月物理学の分野に新規参入した可能性が高いことが分かりました。
1986年9月固定構造物の分野に新規参入した可能性が高いことが分かりました。
1986年9月機械工学，照明，加熱，武器，爆破の分野に新規参入した可能性が高いことが分かりました。
1985年1月処理操作，運輸の分野に新規参入した可能性が高いことが分かりました。
1985年1月化学，冶金の分野に新規参入した可能性が高いことが分かりました。
1984年8月電気の分野に新規参入した可能性が高いことが分かりました。

信越半導体株式会社の「提携・競合」関係

信越半導体株式会社と取り組み技術分野が類似する法人

信越半導体株式会社が強みを持つ分野

ＳＯＩ，アクティブマトリクス、ＳＯＳ

結晶、結晶のための後処理

アニール

石材または石材類似材料の加工

信越半導体株式会社に関わりのある主な発明者

参入・撤退などの活動状況

2019年1月～2022年1月までの特許出願のデータを参考にしています。

参入・撤退の状況概観

信越半導体株式会社

撤退した分野

1分野

繊維，紙

異分野参入・
横展開した分野

0分野

2019年1月～2022年1月の期間において異分野参入・横展開した分野はありません

2019年3月撤退繊維，紙の分野から撤退した可能性が高いことがわかりました。

サイト情報について

本サービスは、国が公開している情報（公開特許公報、特許整理標準化データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。また一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。

主たる情報の出典

特許情報…特許整理標準化データ(XML編)、公開特許公報、特許公報、審決公報、Patent Map Guidance System データ

信越半導体株式会社
に関する技術履歴

消滅

シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法の特許権利が期間満了により消滅しました。

（2022/01/25）
消滅

シリコン単結晶ウェーハの製造方法の特許権利が期間満了により消滅しました。

（2022/01/24）
消滅

熱処理装置および熱処理方法の特許権利が期間満了により消滅しました。

（2022/01/23）
消滅

シリコンウェーハの評価方法及びそのエッチング液の特許権利が期間満了により消滅しました。

（2022/01/16）
消滅

イオン注入装置の引出電極系およびイオン注入装置の特許権利が期間満了により消滅しました。

（2021/12/12）

信越半導体株式会社の技術一覧

信越半導体株式会社

今注力している分野（直近3年でのスコア上位3位）

主要な分野の累積出願数

関連する挑戦したい社会課題