金吉浩さん に関する登録一覧

検索結果:1~1件を表示(1件中) 1/1ページ目

  1. 本発明は、半導体メモリ装置に関し、特に、ESD保護回路及びその製造方法に関し、さらに詳細には、N−EDSCR(N-Type Extended Drain Silicon Controlled Rectifier)素子を利用したESD保護回路及びその製造方法に関する。半導体チップでは、入/出力パッド上に加えられるESD(Electro-Static Discharge、以下、「ESD」と記す)によって引き起こされるサージ電圧及びサージ電流に対して耐性が要求され、一般に半導体チップの入/出力パッドにはESD保護回路が接続される。一般に、ESD保護回路は、基本的な動作条件を満たさなければならない。このようなESD保護回路の基本的な動作条件を、図1を参照して具体的に説明する。

図面 (/)